24,562.24
-446.36
(-1.78%)
24,586
+116
(+0.47%)
高水24
8,136.73
-181.41
(-2.18%)
4,623.17
-211.27
(-4.37%)
3,473.25億
3,764.15
-118.26
(-3.046%)
4,529.10
-169.33
(-3.604%)
13,706.88
-781.77
(-5.396%)
2,690.87
-93.87
(-3.37%)
64,047.9900
+217.7900
(0.341%)
安森美半導體
  • 88.840
  • +0.720
  • (+0.817%)
  • 最高
  • 90.000
  • 最低
  • 83.350
  • 成交股數
  • 4.89百萬
  • 成交金額
  • 2.94億
  • 前收市
  • 88.120
  • 開市
  • 84.540
  • 買入
  • 88.830
  • 賣出
  • 88.890
  • 市值
  • 342.95億
  • 貨幣
  • USD
  • 交易宗數
  • 59467
  • 每宗成交金額
  • 4,942
  • 波幅
  • 12.533%
  • 交易所
  • NASDAQ
  • 1個月高低
  • 52周高低
  • 市盈率/預期
  • 64.79/20.85
  • 周息率/預期
  • --/--
  • 10日股價變動
  • -6.865%
  • 風險率
  • 23.709
  • 振幅率
  • 4.091%
  • 啤打系數
  • 2.976

報價延遲最少15分鐘。美東時間: 17/07/2026 13:51:00
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

01/11/2025 02:35

美股動向 | 安森美推出垂直氮化鎵半導體,拓AI及電動車高耗能應用

  《經濟通通訊社31日專訊》智能電源和傳感技術企業安森美(US.ON)宣布,推出垂直氮化鎵功率半導體,為人工智能數據中心、電動汽車及可再生能源等高耗能應用領域,在功率密度、效率和耐用性方面樹立全新行業標準。

 

  這項突破性的技術建基於創新的「氮化鎵上氮化鎵」架構,其核心特點是讓電流垂直流過化合物半導體晶片,而非像傳統技術般在表面橫向流動。這種垂直導電設計,使新的vGaN功率半導體能夠在單一晶片中處理高達1200伏特甚至更高的電壓,並以極高頻率進行開關,從而大幅提升效能。​(kk)

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