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20
十一月
香港故宮文化博物館|古埃及文明大展:埃及博物館珍藏 香港故宮文化博物館|古埃及文明大展:埃及博物館珍藏
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29
一月
灣仔利東街|利東街新春呈獻「燈海桃林賀新歲」 逾800盞金紅華燈高掛寄寓鴻運當頭 桃花開運庭院祈願幸福美滿 灣仔利東街|利東街新春呈獻「燈海桃林賀新歲」 逾800盞金紅華燈高掛寄寓鴻運當頭 桃花開運庭院祈願幸福美滿
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29/01/2026 - 15/03/2026

安森美半導體
  • 57.690
  • -1.550
  • (-2.616%)
  • 最高
  • 58.929
  • 最低
  • 57.360
  • 成交股數
  • 6.69百萬
  • 成交金額
  • 3.83億
  • 前收市
  • 59.240
  • 開市
  • 58.240
  • 盤後
  • 57.900
  • 0.210
  • (+0.364%)
  • 最高
  • 58.250
  • 最低
  • 57.000
  • 成交股數
  • 34.71萬
  • 成交金額
  • 2.02千萬
  • 買入
  • 55.540
  • 賣出
  • 59.270
  • 市值
  • 233.42億
  • 貨幣
  • USD
  • 交易宗數
  • 63969
  • 每宗成交金額
  • 5,982
  • 波幅
  • 9.264%
  • 交易所
  • NASDAQ
  • 1個月高低
  • 52周高低
  • 市盈率/預期
  • 203.62/14.54
  • 周息率/預期
  • --/--
  • 10日股價變動
  • -13.222%
  • 風險率
  • 8.331
  • 振幅率
  • 3.312%
  • 啤打系數
  • 1.870

報價延遲最少15分鐘。美東時間: 12/03/2026 19:59:54
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

01/11/2025 02:35

美股動向 | 安森美推出垂直氮化鎵半導體,拓AI及電動車高耗能應用

  《經濟通通訊社31日專訊》智能電源和傳感技術企業安森美(US.ON)宣布,推出垂直氮化鎵功率半導體,為人工智能數據中心、電動汽車及可再生能源等高耗能應用領域,在功率密度、效率和耐用性方面樹立全新行業標準。

 

  這項突破性的技術建基於創新的「氮化鎵上氮化鎵」架構,其核心特點是讓電流垂直流過化合物半導體晶片,而非像傳統技術般在表面橫向流動。這種垂直導電設計,使新的vGaN功率半導體能夠在單一晶片中處理高達1200伏特甚至更高的電壓,並以極高頻率進行開關,從而大幅提升效能。​(kk)

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