25,675.18
-287.55
(-1.11%)
25,605
-7
(-0.03%)
低水70
8,597.97
-93.06
(-1.07%)
4,844.94
-96.20
(-1.95%)
2,927.12億
4,131.53
-3.86
(-0.093%)
4,833.52
-26.07
(-0.536%)
15,530.23
-31.14
(-0.200%)
2,817.52
-21.24
(-0.75%)
76,124.0400
-1,333.6300
(-1.722%)
安森美半導體
  • 109.210
  • -3.900
  • (-3.448%)
  • 最高
  • 115.570
  • 最低
  • 108.800
  • 成交股數
  • 4.10百萬
  • 成交金額
  • 3.29億
  • 前收市
  • 113.110
  • 開市
  • 114.900
  • 買入
  • 109.190
  • 賣出
  • 109.300
  • 市值
  • 439.78億
  • 貨幣
  • USD
  • 交易宗數
  • 40350
  • 每宗成交金額
  • 8,154
  • 波幅
  • 15.023%
  • 交易所
  • NASDAQ
  • 1個月高低
  • 52周高低
  • 市盈率/預期
  • 83.17/26.76
  • 周息率/預期
  • --/--
  • 10日股價變動
  • 8.309%
  • 風險率
  • 14.515
  • 振幅率
  • 3.568%
  • 啤打系數
  • 2.538

報價延遲最少15分鐘。美東時間: 18/05/2026 11:09:00
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

01/11/2025 02:35

美股動向 | 安森美推出垂直氮化鎵半導體,拓AI及電動車高耗能應用

  《經濟通通訊社31日專訊》智能電源和傳感技術企業安森美(US.ON)宣布,推出垂直氮化鎵功率半導體,為人工智能數據中心、電動汽車及可再生能源等高耗能應用領域,在功率密度、效率和耐用性方面樹立全新行業標準。

 

  這項突破性的技術建基於創新的「氮化鎵上氮化鎵」架構,其核心特點是讓電流垂直流過化合物半導體晶片,而非像傳統技術般在表面橫向流動。這種垂直導電設計,使新的vGaN功率半導體能夠在單一晶片中處理高達1200伏特甚至更高的電壓,並以極高頻率進行開關,從而大幅提升效能。​(kk)

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