25,213.31
-97.90
(-0.39%)
25,421
+279
(+1.11%)
高水208
8,385.24
-64.86
(-0.77%)
4,468.48
-48.68
(-1.08%)
1,993.82億
3,942.09
+0.70
(+0.018%)
4,552.58
+4.62
(+0.102%)
13,625.12
+13.57
(+0.100%)
2,681.56
+2.03
(+0.08%)
81,458.9200
+4,118.9100
(5.326%)
品尼高西方資本
  • 98.000
  • +0.620
  • (+0.637%)
  • 最高
  • 98.170
  • 最低
  • 97.090
  • 成交股數
  • 92.19萬
  • 成交金額
  • 3.22千萬
  • 前收市
  • 97.380
  • 開市
  • 97.680
  • 盤後
  • 98.000
  • 0.000
  • (0.000%)
  • 最高
  • 98.000
  • 最低
  • 98.000
  • 成交股數
  • 38.85萬
  • 成交金額
  • 2.00百萬
  • 買入
  • 97.190
  • 賣出
  • 98.750
  • 市值
  • 118.02億
  • 貨幣
  • USD
  • 交易宗數
  • 10067
  • 每宗成交金額
  • 3,200
  • 波幅
  • 2.525%
  • 交易所
  • NYSE
  • 1個月高低
  • 52周高低
  • 市盈率/預期
  • 18.69/17.83
  • 周息率/預期
  • 3.74%/3.73%
  • 10日股價變動
  • 0.657%
  • 風險率
  • 6.617
  • 振幅率
  • 1.270%
  • 啤打系數
  • 0.048

報價延遲最少15分鐘。美東時間: 03/09/2026 16:44:30
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

20/08/2026 23:44

大行報告 | 里昂:記憶體股回調屬買入機會,看好三星、SK海力士及美光

  《經濟通通訊社20日專訊》里昂發表行業報告指,記憶體板塊近期受債息上升、地緣政治及AI股估值調整等宏觀因素拖累,但基本面未見根本轉弱,認為近期股價回調反而提供買入機會,首選三星電子、SK海力士(US.SKHY)及美光(US.MU)

 

  里昂預計,AI資本開支持續增加,將帶動HBM及數據中心記憶體需求。全球DRAM晶圓產能料由2025年底每月195萬片,增至2028年290萬片及2030年390萬片,但新產能投產及良率提升需時,未來數年供應增幅仍可能落後需求。與此同時,HBM所需晶圓產能為傳統DRAM約3至4倍,令DRAM市場至2028年仍有望維持供不應求,惟記憶體平均售價升幅料逐步放緩。

 

  NAND方面,企業級SSD需求強勁,AI推理及AI代理應用亦有望推動儲存需求;供應商則傾向將產能投向利潤較高的DRAM及HBM,令NAND價格具韌性。

 

  里昂預計,全球記憶體業收入2027年增長42%至1.3萬億美元,2028年再升14%至1.5萬億美元,高於2026年的9270億美元。最新市場走勢亦顯示,雖然記憶體股短線受壓,但分析普遍認為AI需求及供應緊張格局尚未逆轉。(kk)

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