25,978.07
+62.87
(+0.24%)
26,041
+76
(+0.29%)
高水63
8,775.62
+42.99
(+0.49%)
4,902.20
+36.68
(+0.75%)
2,367.23億
4,079.90
-13.35
(-0.326%)
4,769.37
-16.96
(-0.354%)
14,940.30
-103.15
(-0.686%)
2,784.59
-9.30
(-0.33%)
77,765.0400
+327.9100
(0.423%)
台積電
  • 402.460
  • +19.800
  • (+5.174%)
  • 最高
  • 409.490
  • 最低
  • 393.850
  • 成交股數
  • 2.16千萬
  • 成交金額
  • 46.38億
  • 前收市
  • 382.660
  • 開市
  • 396.140
  • 盤後
  • 403.400
  • 0.940
  • (+0.234%)
  • 最高
  • 403.860
  • 最低
  • 402.230
  • 成交股數
  • 1.39百萬
  • 成交金額
  • 1.45億
  • 買入
  • 403.290
  • 賣出
  • 404.000
  • 市值
  • 19,846.28億
  • 貨幣
  • USD
  • 交易宗數
  • 261913
  • 每宗成交金額
  • 17,707
  • 波幅
  • 7.710%
  • 交易所
  • NYSE
  • 1個月高低
  • 52周高低
  • 市盈率/預期
  • 36.67/20.81
  • 周息率/預期
  • 0.87%/0.91%
  • 10日股價變動
  • 8.900%
  • 風險率
  • 58.187
  • 振幅率
  • 3.388%
  • 啤打系數
  • 1.346

報價延遲最少15分鐘。美東時間: 24/04/2026 19:59:45
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

26/03/2026 22:24

美股動向 | SK海力士擬採台積電3納米製程生產HBM4E

  《經濟通通訊社26日專訊》記憶體巨企SK海力士正積極評估採用台積電(US.TSM)最先進的3納米製程,來製造其第七代高頻寬記憶體(HBM4E)的邏輯晶片。此舉旨在縮小與三星電子在高效能產品上的差距。

 

  在上一代HBM4的競爭中,SK海力士為確保供貨穩定而選擇台積電12納米製程,對手三星則採用4納米邏輯晶片而取得效能優勢。為奪回技術主導權,SK海力士計劃在HBM4E世代將自家第六代10納米級DRAM核心與台積電3納米邏輯晶片進行異質整合。市場預期這項突破性的技術升級,將大幅推升即將推出的英偉達(US.NVDA)Vera Rubin Ultra等新一代AI加速器的運算極限。(kk)

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