24,963.23
-247.58
(-0.98%)
25,020
+54
(+0.22%)
高水57
8,271.06
-81.61
(-0.98%)
4,629.51
-68.97
(-1.47%)
2,098.77億
3,814.20
-62.58
(-1.614%)
4,649.19
-78.81
(-1.667%)
13,774.68
-348.63
(-2.468%)
2,795.26
-39.97
(-1.41%)
64,020.8800
-119.1200
(-0.186%)
台積電
  • 403.410
  • -12.170
  • (-2.928%)
  • 最高
  • 412.920
  • 最低
  • 400.800
  • 成交股數
  • 1.15千萬
  • 成交金額
  • 23.36億
  • 前收市
  • 415.580
  • 開市
  • 411.345
  • 盤後
  • 402.200
  • -1.210
  • (-0.300%)
  • 最高
  • 404.150
  • 最低
  • 401.726
  • 成交股數
  • 1.68百萬
  • 成交金額
  • 1.72億
  • 買入
  • 402.200
  • 賣出
  • 402.600
  • 市值
  • 21,553.95億
  • 貨幣
  • USD
  • 交易宗數
  • 172902
  • 每宗成交金額
  • 13,513
  • 波幅
  • 7.738%
  • 交易所
  • NYSE
  • 1個月高低
  • 52周高低
  • 市盈率/預期
  • 31.40/20.97
  • 周息率/預期
  • 0.84%/0.90%
  • 10日股價變動
  • -4.310%
  • 風險率
  • 63.815
  • 振幅率
  • 2.171%
  • 啤打系數
  • 1.446

報價延遲最少15分鐘。美東時間: 24/07/2026 19:59:45
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

26/03/2026 22:24

美股動向 | SK海力士擬採台積電3納米製程生產HBM4E

  《經濟通通訊社26日專訊》記憶體巨企SK海力士正積極評估採用台積電(US.TSM)最先進的3納米製程,來製造其第七代高頻寬記憶體(HBM4E)的邏輯晶片。此舉旨在縮小與三星電子在高效能產品上的差距。

 

  在上一代HBM4的競爭中,SK海力士為確保供貨穩定而選擇台積電12納米製程,對手三星則採用4納米邏輯晶片而取得效能優勢。為奪回技術主導權,SK海力士計劃在HBM4E世代將自家第六代10納米級DRAM核心與台積電3納米邏輯晶片進行異質整合。市場預期這項突破性的技術升級,將大幅推升即將推出的英偉達(US.NVDA)Vera Rubin Ultra等新一代AI加速器的運算極限。(kk)

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